专利详情

专利名称	具有散射光强倍增系统的硅片表面缺陷检测仪
申请号	CN200520043341.3	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN2812292	公开（授权）日	2006.08.30
申请（专利权）人	中国科学院上海光学精密机械研究所	发明（设计）人	张志平;程兆谷;高海军;覃兆宇
主分类号	H01L21/66(2006.01)	IPC主分类号	H01L21/66(2006.01);G01N21/88(2006.01)
专利有效期	具有散射光强倍增系统的硅片表面缺陷检测仪至具有散射光强倍增系统的硅片表面缺陷检测仪	法律状态	授权
说明书摘要	一种具有散射光强倍增系统的硅片表面缺陷检测仪，包括激光入射系统和缺陷散射光收集系统，其特点是还有：散射光强倍增系统，由第一球面反射镜和第二球面反射镜构成；在第一焦点的第二次反射光路上设有一光陷阱；所述的缺陷散射光收集系统的光轴与所述的待测硅片的法线之间的夹角为β；所述的第一球面反射镜和第二球面反射镜位于一光轴调整架上，待测硅片的平动和转动由精密工作台实现，所述的平面反射镜、第一球面反射镜、第二球面反射镜和光陷阱之间的位置满足几何光学的物像关系。本实用新型解决了光学元件易损伤；使待测硅片的缺陷散射光强倍增并且两次缺陷散射光比较集中，有利于收集；避开了硅片表面散射信号的干扰。