专利详情

专利名称	三维金属镍纳米渐变体阵列结构及其制备方法
申请号	CN201110054017.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102174709A	公开（授权）日	2011.09.07
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	高雪峰;李丛珊;李娟;朱洁
主分类号	C30B29/02(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/02(2006.01)I;C30B29/66(2006.01)I;C25D3/12(2006.01)I;C23C18/32(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	三维金属镍纳米渐变体阵列结构及其制备方法至三维金属镍纳米渐变体阵列结构及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种三维金属镍纳米渐变体阵列结构及其制备方法。该纳米渐变体阵列结构由尺寸从上到下线性或非线性变化的无数个纳米渐变体单元组成，纳米渐变体单元阵列分布在基底上，其为实心突起、空心突起、孔状和管状结构中的任意一种或多种，且各纳米渐变体单元的轴线与其基底垂直。其制备方法为：在具有三维纳米渐变阵列结构的模板上形成至少一导电层；将该模板置于含镍盐的酸性电解液中，调节反应条件，令镍沉积到模板上；去除模板，制得目标产物。本发明制备工艺流程简洁，设备简单易得，且与现有的电化学工艺兼容，成本低廉，调控简便，形成的目标产物形貌有序多变，尺寸可在较大范围内调控，在磁存储介质模板及生物传感监测等领域具有广泛应用前景。