导电氧化物纳米粉体的制备方法
- 申请号:CN201110046789.0
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 公开(公开)号:CN102176339A
- 公开(公开)日:2011.09.07
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 导电氧化物纳米粉体的制备方法 | ||
| 申请号 | CN201110046789.0 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开(公告)号 | CN102176339A | 公开(授权)日 | 2011.09.07 |
| 申请(专利权)人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明(设计)人 | 李冬松;陈立桅 |
| 主分类号 | H01B1/08(2006.01)I | IPC主分类号 | H01B1/08(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I |
| 专利有效期 | 导电氧化物纳米粉体的制备方法 至导电氧化物纳米粉体的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一种导电氧化物纳米粉体的制备方法,方法为:以含锡化合物,含锑化合物或含铟化合物,醇类和/或胺类,以及过量的强碱加入水热反应釜中;将水热反应釜置于100℃-140℃环境下,保温2-2.5小时,使反应物充分反应,得到导电氧化物前体;将所述导电氧化物前体置于温度为400℃-650℃的空气中烧结,得到导电氧化物纳米粉体。本发明所提供的导电氧化物纳米粉体的制备方法,其原材料方便易得、制备工艺简单、制备成本低,适合工业化生产。 | ||
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