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一种PMN-PZT基透明电光陶瓷材料及其制备方法

  • 申请号:CN201110160540.2
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院上海硅酸盐研究所
  • 公开(公开)号:CN102295456A
  • 公开(公开)日:2011.12.28
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种PMN-PZT基透明电光陶瓷材料及其制备方法
申请号 CN201110160540.2 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN102295456A 公开(授权)日 2011.12.28
申请(专利权)人 中国科学院上海硅酸盐研究所 发明(设计)人 阮伟;曾江涛;李国荣;郑嘹赢;曾华荣;丁爱丽
主分类号 C04B35/491(2006.01)I IPC主分类号 C04B35/491(2006.01)I;C04B35/495(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I
专利有效期 一种PMN-PZT基透明电光陶瓷材料及其制备方法 至一种PMN-PZT基透明电光陶瓷材料及其制备方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开了一种PMN-PZT基透明电光陶瓷材料及其制备方法。所述陶瓷材料的组成通式为:(1-x)Pb(MgyNbz)O3-xPb(Zr1-pTip)O3+(2-3z)A;其中:0<x≤0.55;0.5≤z<0.67;y+z=1;0<p≤1;A为Y、Bi、La、Sb、Dy、Nd、Sm中的一种或多种。其制备方法包括:按照通式配料,高温合成,造粒,压制成型,排塑,进行二步法烧结等步骤。本发明的PMN-PZT基透明电光陶瓷材料具有较高的透过率和较高的二次电光系数,能够满足其在光通信和光传感等重要领域的应用;并且,本发明的制备方法具有操作简单,周期短,成本较低和易于规模化生产等优点。

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