一种PMN-PZT基透明电光陶瓷材料及其制备方法
- 申请号:CN201110160540.2
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号:CN102295456A
- 公开(公开)日:2011.12.28
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种PMN-PZT基透明电光陶瓷材料及其制备方法 | ||
| 申请号 | CN201110160540.2 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开(公告)号 | CN102295456A | 公开(授权)日 | 2011.12.28 |
| 申请(专利权)人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明(设计)人 | 阮伟;曾江涛;李国荣;郑嘹赢;曾华荣;丁爱丽 |
| 主分类号 | C04B35/491(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/491(2006.01)I;C04B35/495(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种PMN-PZT基透明电光陶瓷材料及其制备方法 至一种PMN-PZT基透明电光陶瓷材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种PMN-PZT基透明电光陶瓷材料及其制备方法。所述陶瓷材料的组成通式为:(1-x)Pb(MgyNbz)O3-xPb(Zr1-pTip)O3+(2-3z)A;其中:0<x≤0.55;0.5≤z<0.67;y+z=1;0<p≤1;A为Y、Bi、La、Sb、Dy、Nd、Sm中的一种或多种。其制备方法包括:按照通式配料,高温合成,造粒,压制成型,排塑,进行二步法烧结等步骤。本发明的PMN-PZT基透明电光陶瓷材料具有较高的透过率和较高的二次电光系数,能够满足其在光通信和光传感等重要领域的应用;并且,本发明的制备方法具有操作简单,周期短,成本较低和易于规模化生产等优点。 | ||
交易流程
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