专利详情

专利名称	一种半导体器件及其制造方法
申请号	CN201010220687.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102299077A	公开（授权）日	2011.12.28
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	王文武;王晓磊;韩锴;陈大鹏
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I
专利有效期	一种半导体器件及其制造方法至一种半导体器件及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述衬底上形成界面层和第一高k栅介质层；在所述第一栅介质层上形成扩散阻挡层；在所述扩散阻挡层上形成第二高k栅介质层；在所述第二高k栅介质层上形成金属栅极层；对器件进行热退火处理，所述扩散阻挡层用于在退火处理中阻挡第一高k栅介质层中的某些掺杂元素，如氮元素向栅叠层外的扩散，同时还能阻挡退火环境中的氧元素向下层衬底扩散。本发明还提供了一种半导体器件。通过本发明能够减小第一高k栅介质层中的某些掺杂元素，如氮元素在高温退火工艺中的损失量，同时还能阻挡退火环境中的氧元素向下层衬底扩散，从而能够避免器件的可靠性降低和界面层再生长等问题。