专利详情

专利名称	一种相变存储器的擦写方法
申请号	CN200910199256.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101699562	公开（授权）日	2010.04.28
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	龚岳峰;宋志棠;凌云
主分类号	G11C11/56(2006.01)I	IPC主分类号	G11C11/56(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I;G11C16//14(2006.01)I
专利有效期	一种相变存储器的擦写方法至一种相变存储器的擦写方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种相变存储器的擦写方法，进行擦操作时，首先对器件中的相变材料施加一个脉高较低的脉冲，所述脉冲使相变材料恰好达到熔融温度，并在相变材料局部形成非晶区域；然后继续施加多个脉高较低的脉冲，在相变材料中累积非晶区域，直至器件从低阻态转到高阻态。本发明通过累积作用实现存储器的擦写操作，一方面低脉高产生的低热量有利于材料稳定性，另一方面低脉高能够保证相变存储器在要求低编程电流(电压)环境下的应用，在不改变相变存储器器件结构的情况下，降低了器件功耗，大大节省了优化器件结构的成本。