专利详情

专利名称	精确控制四元系半导体直接带隙材料组分的生长与表征方法
申请号	CN200910198255.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101698962	公开（授权）日	2010.04.28
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	顾溢;张永刚
主分类号	C30B29/40(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/40(2006.01)I;C30B23/02(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I;C30B25/16(2006.01)I
专利有效期	精确控制四元系半导体直接带隙材料组分的生长与表征方法至精确控制四元系半导体直接带隙材料组分的生长与表征方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种精确控制四元系半导体直接带隙材料组分的生长与表征方法，包括采用常规分子束外延方法在衬底上生长四元系半导体材料；分别测试四元系半导体材料的室温晶格常数和室温禁带宽度；根据半导体材料室温晶格常数和禁带宽度与材料组分的关系进行计算得出材料组分；通过调节生长条件，重复操作直到材料组分与目标组分相符，即完成四元系半导体直接带隙材料的生长。该方法无需预先生长相应的三元系半导体材料，可以直接在衬底上生长四元系半导体直接带隙材料，在节约成本的同时，对所需材料的组分进行了准确有效地指导生长。