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一种三氯氢硅还原生产多晶硅循环氢气提纯处理方法

  • 申请号:CN201110200460.5
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院大连化学物理研究所
  • 公开(公开)号:CN102328906A
  • 公开(公开)日:2012.01.25
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种三氯氢硅还原生产多晶硅循环氢气提纯处理方法
申请号 CN201110200460.5 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN102328906A 公开(授权)日 2012.01.25
申请(专利权)人 中国科学院大连化学物理研究所 发明(设计)人 徐恒泳;唐春华;孙剑;董恩宁;侯守福
主分类号 C01B3/56(2006.01)I IPC主分类号 C01B3/56(2006.01)I
专利有效期 一种三氯氢硅还原生产多晶硅循环氢气提纯处理方法 至一种三氯氢硅还原生产多晶硅循环氢气提纯处理方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 一种三氯氢硅还原生产多晶硅循环氢气提纯处理方法。采用两组串联的金属钯复合膜氢气纯化器,对三氯氢硅还原循环氢气进行提纯处理,其中第一组金属钯复合膜氢气纯化器相对较大,提纯处理的超纯氢气(H2纯度>99.9999%)返回还原炉,用于三氯氢硅还原的原料气,而第二组氢气纯化器相对较小,提纯处理的高纯氢气(H2纯度-99.999%)去冷氢化工段作为原料气。该方法提纯处理循环氢气的回收率可以达到99%。当循环氢气中氯化氢含量较高时,需要采取必要的脱氯措施使得HCl含量降低到0.5ppm以下。利用该方法提纯的氢气生产多晶硅,可以明显提高多晶硅产品的纯度和质量,具有明显的节能减排效应。

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