专利详情

专利名称	单电子三值存储器
申请号	CN02285490.8	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN2606458	公开（授权）日	2004.03.10
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	孙劲鹏;王太宏
主分类号	H01L27/00	IPC主分类号	H01L27/00
专利有效期	单电子三值存储器至单电子三值存储器	法律状态	授权
说明书摘要	本实用新型涉及一种具有多隧穿结结构的单电子三值存储器。该存储器有一个绝缘的基片，其上存在一导电材料层。导电材料层中有两个多遂穿结结构、一个单电子晶体管和一个单元存储结。两个隧穿结的一端通过引线连接在一起作为写电压的输入端，每个隧穿结的另一端则连接一个存储结；单元存储结处在两个存储结的中间电容耦合在一起；单电子晶体管具有源极、漏极、与源漏极弱耦合的量子点和用来控制量子点静电化学势能的栅极，其中的量子点通过电容耦合的方式与单元存储结连接在一起。器件具有三个稳定的存储状态，并且只需要控制极少电子的运动就可以实现器件的正常工作，可以实现低功耗下的信息超高密度存储。