IGBT版图
- 申请号：CN201120220830.7
- 专利类型：实用新型
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN202120258U
- 公开(公开)日：2012.01.18
- 法律状态：授权
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专利详情
| 专利名称 | IGBT版图 | ||
| 申请号 | CN201120220830.7 | 专利类型 | 实用新型 |
| 公开（公告）号 | CN202120258U | 公开（授权）日 | 2012.01.18 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 赵佳;卢烁今;朱阳军;左小珍 |
| 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | IPC主分类号 | G06F17/50(2006.01)I |
| 专利有效期 | IGBT版图 至IGBT版图 | 法律状态 | 授权 |
| 说明书摘要 | 本实用新型实施例公开了一种IGBT版图包括元胞区、终端区、栅极压焊点和源极压焊点，其中，所述终端区位于元胞区周围，所述栅极压焊点和源极压焊点位于所述元胞区上，所述栅极压焊点位于元胞区的中间位置。由于本实用新型实施例中将栅极压焊点设置在中间位置，可以保证栅极压焊点传导各处的栅压基本相等，距离栅极压焊点较远的元胞区也会完全有效开启。而无需借助于gatebus将栅极压焊点处的电流引入至元胞区，由于无需使用gatebus，可以节省设置gatebus的面积，因此，相比于传统的IGBT版图而言，本实用新型实施例中的IGBT版图不仅可以保证栅极压焊点传导各处的栅压基本相等，同时还提高了IGBT版图的面积利用率。 | ||
交易流程
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选取所需
专利 -
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确认专利
可交易 - 03 签订合同
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成功 - 06 支付尾款
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平台保障
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