专利详情

专利名称	材料的图案化方法
申请号	CN201110154332.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102320752A	公开（授权）日	2012.01.18
申请（专利权）人	中国科学院化学研究所	发明（设计）人	刘云圻;张磊;刘洪涛;赵岩;孙向南;温雨耕;郭云龙;高希珂;狄重安;于贵
主分类号	C03C17/00(2006.01)I	IPC主分类号	C03C17/00(2006.01)I;C04B41/45(2006.01)I
专利有效期	材料的图案化方法至材料的图案化方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种材料的图案化方法。该方法，包括如下步骤：1)在基底上制备一层高分子薄膜；2)在所得高分子薄膜表面利用喷墨打印的方法涂布所述高分子薄膜的良溶剂，得到图案化后的高分子薄膜；3)在所得图案化后的高分子薄膜上及暴露出的所述基底表面依次制备一层目标材料的薄膜和一层聚苯乙烯薄膜后，于水中浸泡后剥掉所述聚苯乙烯薄膜和除图案外所有的目标材料的薄膜和所述高分子薄膜，完成所述材料的图案化。该石墨烯电极的沟道长度最小可达到2微米，在二氧化硅基底上得到的该石墨烯电极可以直接应用于有机场效应晶体管，作为有效的载流子注入电极，而不需要其他的转移或者后处理手段。