专利详情

专利名称	一种对容错存储单元的晶体管进行布局的方法
申请号	CN201110279279.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102314538A	公开（授权）日	2012.01.11
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	杨献;闫珍珍;蒋见花;刘海南;黑勇;周玉梅
主分类号	G06F17/50(2006.01)I	IPC主分类号	G06F17/50(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I
专利有效期	一种对容错存储单元的晶体管进行布局的方法至一种对容错存储单元的晶体管进行布局的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种对容错存储单元的晶体管进行布局的方法，采用该方法的晶体管布局对应于双重互锁结构，该方法包括：在PMOS版图上放置4个PMOS管，且在中间两个PMOS管之间插入PMOS写入管和作为存储单元控制门的PMOS管；在NMOS版图上放置4个NMOS管，且两个中间NMOS管之间插入作为存储单元控制门的NMOS管；以及将上述所有PMOS管用一个保护环保护起来，并将上述所有NMOS管也用一个保护环保护起来。针对DICE结构的存储单元，本发明对SRAM单比特存储单元具有较好的容错能力，且具有一定抗多比特翻转的能力。