专利详情

专利名称	一种磁性随机存储单元阵列、存储器及其读写方法
申请号	CN201010226272.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102314927A	公开（授权）日	2012.01.11
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	王译;李海;韩秀峰
主分类号	G11C7/06(2006.01)I	IPC主分类号	G11C7/06(2006.01)I;G11C11/16(2006.01)I
专利有效期	一种磁性随机存储单元阵列、存储器及其读写方法至一种磁性随机存储单元阵列、存储器及其读写方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种磁性随机存储器，包括磁性随机存储单元阵列及其读写电路，所述阵列包括：布设在第一层的晶体管阵列；第二层的晶体管源极电极和漏极电极；第三层的源线和漏极输出电极；第四层的非磁性金属线，非磁性金属线的上表面设置磁性隧道结；以及磁性隧道结之上层次的第一位线和第二位线，所述第一位线与磁性隧道结的顶电极接触，第二位线通过导通孔与所述非磁性金属线连通；其中，第三层和第四层直接接触，其余相邻层次间均有隔离层。本发明还提供了相应的读写方法。本发明具有读写分离机制，能够很好支持Rashba存储单元；有利于提高存储密度、降低器件功耗、提高数据写入速度和可靠性；并且制作工序较少，工艺较简单。