专利详情

专利名称	一种Mo基/TaN金属栅叠层结构的刻蚀方法
申请号	CN201010223348.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102315117A	公开（授权）日	2012.01.11
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	李永亮;徐秋霞
主分类号	H01L21/3213(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/3213(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I
专利有效期	一种Mo基/TaN金属栅叠层结构的刻蚀方法至一种Mo基/TaN金属栅叠层结构的刻蚀方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种Mo基/TaN金属栅叠层结构的刻蚀方法，该方法先在半导体衬底上依次形成界面SiO2层、高K栅介质层、Mo基金属栅、TaN金属栅、硅栅层和硬掩膜层；然后进行光刻和硬掩膜的刻蚀；去胶后，以硬掩膜为掩蔽，通过干法刻蚀工艺对硅栅层进行高选择比的各向异性刻蚀；通过干法刻蚀工艺对TaN金属栅、Mo基金属栅和高K介质进行高选择比的各向异性刻蚀。本发明所提供的Mo基/TaN金属栅叠层结构的刻蚀方法，适于纳米级CMOS器件中高K/金属栅的集成需要，为实现高K/金属栅的集成提供了必要保证。