专利详情

专利名称	一种镧锶锰氧薄膜的制备方法
申请号	CN201010564681.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101985749A	公开（授权）日	2011.03.16
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	陈莹;王根水;张帅;董显林
主分类号	C23C20/08(2006.01)I	IPC主分类号	C23C20/08(2006.01)I;H01F1/10(2006.01)I;H01F41/24(2006.01)I
专利有效期	一种镧锶锰氧薄膜的制备方法至一种镧锶锰氧薄膜的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种采用醋酸盐系化学溶液法在硅衬底上制备镧锶锰氧薄膜材料的方法，所述方法包括前驱体溶液的配制，即：将溶质醋酸镧、醋酸锶和醋酸锰加入由醋酸和去离子水形成的混合溶剂中，在一定的温度下配制成均匀稳定透明的前驱体溶液；再将配制好的前驱体溶液采用旋转镀膜方式在硅基片上得到凝胶膜，然后在快速退火炉中分段进行热处理。本发明的制备方法具有原料价廉、无毒，环境污染小，制备工艺简单，无需特殊设备，有利于规模化生产等优点，且制备的薄膜面积大、均匀性好、粗糙度小、无微裂纹，性能稳定，具有良好的电学性能和铁磁性能，在铁磁薄膜器件、自旋电子器件和航天器的智能热控器件中具有潜在的应用前景。