专利详情

专利名称	一种利用超晶格结构材料制备的高质量SGOI及其制备方法
申请号	CN201110324597.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102347267A	公开（授权）日	2012.02.08
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	张苗;陈达;狄增峰;母志强;王刚
主分类号	H01L21/762(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/762(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I
专利有效期	一种利用超晶格结构材料制备的高质量SGOI及其制备方法至一种利用超晶格结构材料制备的高质量SGOI及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种利用超晶格结构材料制备的高质量SGOI及其制备方法，首先在一衬底上按周期交替生长Ge层（Si层）与Si1-xGex层形成超晶格结构，然后再低温生长Si1-mGem材料，控制此外延层的厚度，使其小于临界厚度。紧接着对样品进行退火或离子注入加退火处理，使顶层的Si1-mGem材料弛豫。最后采用智能剥离的方法将顶层的Si1-mGem及超晶格结构转移到SiO2/Si结构的支撑材料上，形成多层材料。使用研磨或CMP的方法制备高质量的SGOI。由此，利用超晶格结构材料，我们制备出高质量、低成本、低缺陷、厚度可控的SGOI。