专利详情

专利名称	应变半导体沟道形成方法和半导体器件
申请号	CN201010244987.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102347235A	公开（授权）日	2012.02.08
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	尹海洲;朱慧珑;骆志炯
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I
专利有效期	应变半导体沟道形成方法和半导体器件至应变半导体沟道形成方法和半导体器件	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提出了一种应变半导体沟道形成方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成SiGe弛豫层；在所述SiGe弛豫层上形成电介质层，在所述电介质层上形成替代栅，所述电介质层和所述替代栅构成了替代栅结构；沉积层间介电层，对所述层间介电层进行平坦化处理，以暴露出所述替代栅；刻蚀去除所述替代栅和所述电介质层，以形成开口；在所述开口中执行选择性半导体外延生长，形成半导体外延层；沉积高K介电层和金属层；以及对所沉积的金属层和高K介电层执行平坦化处理，去除覆盖在所述层间介电层上的高K介电层和金属层，形成金属栅。本发明还提出了一种通过上述工艺制造的半导体器件。