专利详情

专利名称	薄壁真空管道及由薄壁真空管道制造真空室的制造方法
申请号	CN201110292099.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102348321A	公开（授权）日	2012.02.08
申请（专利权）人	中国科学院近代物理研究所	发明（设计）人	张军辉;张小奇;徐大宇;杨伟顺;赵玉刚;胡振军;张斌;马力祯
主分类号	H05H7/14(2006.01)I	IPC主分类号	H05H7/14(2006.01)I
专利有效期	薄壁真空管道及由薄壁真空管道制造真空室的制造方法至薄壁真空管道及由薄壁真空管道制造真空室的制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明主要涉及电真空设备的制造方法，尤其涉及一种可以在高频交流电场或交变磁场下使用的真空管道的制造方法。一种薄壁真空管道的制造方法，包括制管、卷边、设置加强筋等多个步骤，还提供一种由制成的真空管道制造真空室的制造方法，包括焊管、制造液压波纹管装置等工艺，用此工艺程序、参数和方法匹配制造出的薄壁真空管道，整个真空管道尺寸大、通体薄壁，能够满足在高频交流电场或交变磁场下使用要求。