专利详情

专利名称	具有二次台面包裹电极的AlGaN紫外探测器
申请号	CN201120142481.1	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN202134542U	公开（授权）日	2012.02.01
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	李超;李向阳;许金通;刘福浩;张燕;刘向阳;乔辉
主分类号	H01L31/0304(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/101(2006.01)I
专利有效期	具有二次台面包裹电极的AlGaN紫外探测器至具有二次台面包裹电极的AlGaN紫外探测器	法律状态	授权
说明书摘要	本实用新型公开一种具有二次台面包裹电极的AlGaN紫外探测器器件，其结构为在衬底上依次生长，缓冲层、n型薄膜层、本征薄膜层、p型薄膜层和p型帽层，将p型帽层和部分p型薄膜层刻蚀形成p型微台面，该p型微台面为方形或圆形；沉积p包裹型欧姆电极，该p包裹型欧姆电极为方形或圆形，将p型微台面包裹起来，边缘落于p型微台面下p型薄膜层表面；将p型薄膜层和本征薄膜层刻蚀形成器件台面，该器件台面为方形或圆形，边长或半径大于p型微台面边长或半径20-100μm；沉积环形或长条形n型欧姆电极。本器件的结构有利于提高器件的外量子效率、响应抑制比和灵敏度，器件暗电流也得到进一步的降低。