专利详情

专利名称	改善氮化镓基场效应管后道工艺的方法
申请号	CN201010235058.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102339751A	公开（授权）日	2012.02.01
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	汪宁;陈晓娟;罗卫军;庞磊;刘新宇
主分类号	H01L21/335(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/335(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I
专利有效期	改善氮化镓基场效应管后道工艺的方法至改善氮化镓基场效应管后道工艺的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种改善氮化镓基场效应管后道工艺的方法，采用改进的减薄研磨工艺降低衬底的厚度，采用纳米抛光液对场效应管的衬底进行化学机械抛光(CMP)，采用溅射钛/镍(Ti/Ni)合金的方法制作掩膜，使用ICP进行深背孔刻蚀。利用本发明，改进的减薄工艺制备出了厚度超薄，抛光面形貌优良的衬底，配合ICP刻蚀工艺，制作出侧壁光滑的深孔结构。采用溅射钛/钨/金(Ti/W/Au)复合层金属的方法形成背金起镀层，电镀黄金形成背面金属散热结构，大大改善了电路的散热问题。