专利详情

专利名称	氮化镓基3D垂直结构发光二极管的结构
申请号	CN201210506365.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102969418A	公开（授权）日	2013.03.13
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	谢海忠;张扬;杨华;李璟;刘志强;伊晓燕;王军喜;王国宏;李晋闽
主分类号	H01L33/06(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/06(2010.01)I;H01L33/22(2010.01)I
专利有效期	氮化镓基3D垂直结构发光二极管的结构至氮化镓基3D垂直结构发光二极管的结构	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种氮化镓基3D垂直结构发光二极管的结构，包括：一衬底，该衬底的下面开有一沟槽，在沟槽的一侧开有一通孔；一N型掺杂层生长在衬底上，该N型掺杂层的宽度小于衬底的宽度，该N型掺杂层未覆盖衬底上的通孔；一多量子阱发光层生长在N型掺杂层上；一P型掺杂层生长在多量子阱发光层上；一ITO层生长在P型掺杂层上；一绝缘层制作在N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层的侧壁上，及衬底上的通孔的侧壁上；一导电层制作在绝缘层上，并覆盖部分ITO层的上表面；一P型电极制作在ITO层上表面的中心部位，并与导电层相连接；一金属电极制作在衬底下面沟槽的侧壁面上，并覆盖衬底的部分下表面。