专利详情

专利名称	有机无机复合激光热刻蚀薄膜和微纳图形制备的方法
申请号	CN201110238541.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102338986A	公开（授权）日	2012.02.01
申请（专利权）人	中国科学院上海光学精密机械研究所	发明（设计）人	李豪;耿永友;吴谊群
主分类号	G03F7/09(2006.01)I	IPC主分类号	G03F7/09(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I
专利有效期	有机无机复合激光热刻蚀薄膜和微纳图形制备的方法至有机无机复合激光热刻蚀薄膜和微纳图形制备的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种有机无机复合激光热刻蚀薄膜和微纳图形制备的方法，该有机无机复合激光热刻蚀薄膜包括沉积在基片上的ZnS-SiO2薄膜和旋涂在ZnS-SiO2薄膜上的腙类金属螯合物有机薄膜。所述的微纳图形制备的方法是采用激光直写装置对有机无机复合激光热刻蚀薄膜进行辐照，然后溶解去除有机层，并在显影液中显影，以获得超越光学衍射极限的微纳图形。该有机无机复合激光热刻蚀薄膜结构简单，制备工艺参数可控性好，重复性高，结合有机薄膜光敏感度好、光热转化效率高，结构与吸收波长易于调节和无机薄膜分辨率高的特点，能够实现超越光学衍射极限的微纳图形的制备，有望被用来制备光盘母盘、光刻或纳米压印模板、光学器件、二维光子晶体等。