专利详情

专利名称	一种无机质子导电膜的制备方法
申请号	CN201210477098.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102943247A	公开（授权）日	2013.02.27
申请（专利权）人	中国科学院宁波材料技术与工程研究所	发明（设计）人	万青;郭立强;竺立强;周菊枚;张洪亮;吴国栋
主分类号	C23C16/08(2006.01)I	IPC主分类号	C23C16/08(2006.01)I
专利有效期	一种无机质子导电膜的制备方法至一种无机质子导电膜的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种无机质子导电膜的制备方法，包括：采用化学气相沉积技术，将反应源通入沉积体系中，通过调节工艺参数，在衬底上制备出磷掺杂二氧化硅无机质子导电膜。本发明还提供了一种基于该方法制备的导电膜，及用所述导电膜制成的制品。本发明原材料来源丰富、价格便宜；制备工艺与现有设备相容，适于大面积连续生产；前景广阔、用途广泛，可在薄膜晶体管、聚合物电解质膜燃料电池、电化学传感器、水/蒸汽电解、生物系统等领域得到广泛应用。