计算晶圆表面研磨去除率的方法
- 申请号：CN201210458982.X
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102945304A
- 公开(公开)日：2013.02.27
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 计算晶圆表面研磨去除率的方法 | ||
| 申请号 | CN201210458982.X | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102945304A | 公开（授权）日 | 2013.02.27 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 徐勤志;方晶晶;陈岚 |
| 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | IPC主分类号 | G06F17/50(2006.01)I |
| 专利有效期 | 计算晶圆表面研磨去除率的方法 至计算晶圆表面研磨去除率的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提供了一种计算晶圆表面研磨去除率的方法，该方法包括：a）设定参考平面、划分计算网格并确定研磨垫微扰形变的初始数据；b）根据微扰压力分布和研磨垫微扰形变的相互关系，使用傅里叶变换计算微扰压力分布，并根据外部施加压力和微扰压力分布计算接触压力分布；c）根据接触压力分布确定晶圆的研磨去除率。本发明的实施例还可以用晶圆表面的研磨去除率实时的计算晶圆表面形貌。本发明计算简洁，实现方便，物理意义明确，所得到的物理量能深刻揭示两体接触的内在本质。 | ||
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