大尺寸的六角形双层石墨烯单晶畴及其制备方法
- 申请号：CN201110266167.9
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号：CN102995119A
- 公开(公开)日：2013.03.27
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 大尺寸的六角形双层石墨烯单晶畴及其制备方法 | ||
| 申请号 | CN201110266167.9 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102995119A | 公开（授权）日 | 2013.03.27 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 黄富强;毕辉;万冬云;林天全 |
| 主分类号 | C30B29/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/02(2006.01)I;C30B29/60(2006.01)I;C30B29/68(2006.01)I;C30B25/00(2006.01)I;C01B31/06(2006.01)I |
| 专利有效期 | 大尺寸的六角形双层石墨烯单晶畴及其制备方法 至大尺寸的六角形双层石墨烯单晶畴及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明属于纳米材料领域，涉及一种新型的大尺寸六角形双层石墨烯单晶畴及其制备方法。所述制备方法包括采用金属单质及其多元合金作为催化剂，利用化学气相沉积法制备六角形石墨烯单晶畴。石墨烯单晶畴为双层结构，其质量优异，双层覆盖率90％以上。本发明工艺简单，过程易控制，适合于晶体管和光调制器等微纳米电子及光子器件领域。 | ||
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