
多元衬底、基于多元衬底的层数连续可调的石墨烯、及其制备方法
- 申请号:CN201110266477.0
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院上海硅酸盐研究所;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 公开(公开)号:CN102994976A
- 公开(公开)日:2013.03.27
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 多元衬底、基于多元衬底的层数连续可调的石墨烯、及其制备方法 | ||
申请号 | CN201110266477.0 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN102994976A | 公开(授权)日 | 2013.03.27 |
申请(专利权)人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明(设计)人 | 万冬云;黄富强;林天全;毕辉;谢晓明;江绵恒 |
主分类号 | C23C16/44(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/44(2006.01)I;C23C14/16(2006.01)I;C23C16/26(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I |
专利有效期 | 多元衬底、基于多元衬底的层数连续可调的石墨烯、及其制备方法 至多元衬底、基于多元衬底的层数连续可调的石墨烯、及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明涉及多元衬底、基于多元衬底的层数连续可调的石墨烯、及其制备方法,提供了一种用于层数连续可调的石墨烯的多元衬底,它包括:金属基底,所述金属基底为低溶碳金属M1,或者低溶碳金属M1与高溶碳金属M2的合金M11-x+M2x,式中0<x<0.5;采用磁控溅射法或脉冲激光沉积法覆盖在所述金属基底上的金属薄膜,所述金属薄膜为至少一层高溶碳金属M2,或者低溶碳金属M1与高溶碳金属M2的合金M11-x+M2x,式中1>x>0.5;其中,M1为Cu,M2选自Ru、Ti、Zr、Nb、Ta、Fe、Co、Ni、V、Rh、Pd、Co、lr、Pt、Mo、W、Zn或其组合。还提供了基于该多元衬底的层数连续可调的石墨烯,以及它们的制备方法。 |
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