专利详情

专利名称	用碳纳米管晶体管设计的高集成度单电子存储器
申请号	CN02257077.2	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN2570984	公开（授权）日	2003.09.03
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	孙劲鹏;王太宏
主分类号	H01L27/00	IPC主分类号	H01L27/00;H01L21/82
专利有效期	用碳纳米管晶体管设计的高集成度单电子存储器至用碳纳米管晶体管设计的高集成度单电子存储器	法律状态	授权
说明书摘要	本实用新型涉及用碳纳米管晶体管设计的高集成度单电子存储器，包括：以硅作为衬底，其上氧化形成一个二氧化硅绝缘层；在绝缘层上制备出一个垂直结构的碳纳米管晶体管，还包括在二氧化硅绝缘层上有一根单壁碳纳米管，在其两侧制备出源极和漏极并与碳纳米管发生欧姆接触；在该碳纳米管的上方制备出栅极绝缘层，其上设置该碳纳米管晶体管的栅极；栅极一侧的栅极绝缘层上设置一条存储器的字线，字线和栅极通过一根金属性碳纳米管连接在一起，此碳纳米管上制备出至少两个隧穿结。该方法制备出的量子点可以在室温下出现库仑阻塞现象，因此本实用新型的器件可在室温下工作，通过测量碳纳米管晶体管的漏极电流可以实现存储器数据的读出。