用碳纳米管单电子晶体管和碳纳米管晶体管设计的存储器
- 申请号:CN02244310.X
- 专利类型:实用新型
- 申请(专利权)人:中国科学院物理研究所
- 公开(公开)号:CN2567781
- 公开(公开)日:2003.08.20
- 法律状态:授权
- 出售价格: 面议 立即咨询
专利详情
专利名称 | 用碳纳米管单电子晶体管和碳纳米管晶体管设计的存储器 | ||
申请号 | CN02244310.X | 专利类型 | 实用新型 |
公开(公告)号 | CN2567781 | 公开(授权)日 | 2003.08.20 |
申请(专利权)人 | 中国科学院物理研究所 | 发明(设计)人 | 孙劲鹏;王太宏 |
主分类号 | H01L27/12 | IPC主分类号 | H01L27/12;H01L21/84 |
专利有效期 | 用碳纳米管单电子晶体管和碳纳米管晶体管设计的存储器 至用碳纳米管单电子晶体管和碳纳米管晶体管设计的存储器 | 法律状态 | 授权 |
说明书摘要 | 本实用新型涉及一种用碳纳米管单电子晶体管 和碳纳米管晶体管设计的存储器。该器件包括:以SOI为衬底, 表面有一单晶硅层;在表面硅层中刻蚀出一个碳纳米管晶体管 结构,它包括一个作为源极的电极、一个作为漏极的电极和一 个栅极,一根单壁碳纳米管设置在两个电极上形成欧姆接触, 其中栅极处在源、漏两个电极的中间,碳纳米管的一侧;另一 根具有2个以上隧穿结结构的碳纳米管设置在栅极和碳纳米管 晶体管的源或漏极的电极上形成欧姆接触。该器件制备方法易 于操做。通过控制几十个甚至几个电子就可以实现存储器的正 常工作,并且不受随机背景电荷的影响;同时,器件每一个存 储单元只具有两个电极引线,容易实现器件的高度集成和实现 低功耗下信息的超高密度存储。 |
交易流程
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专利 -
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