专利详情

专利名称	具有碳纳米管结构的随机存储器
申请号	CN02239613.6	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN2566463	公开（授权）日	2003.08.13
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	赵继刚;王太宏
主分类号	H01L27/04	IPC主分类号	H01L27/04
专利有效期	具有碳纳米管结构的随机存储器至具有碳纳米管结构的随机存储器	法律状态	授权
说明书摘要	本实用新型涉及一种具有碳纳米管结构的随机存储器，包括以Si作为衬底，该衬底上有SiO₂绝缘层、碳纳米管、栅极和电极；栅极位于Si衬底上SiO₂绝缘层中的一条沟槽之中，其内沉积Al及经表面氧化形成的Al₂O₃绝缘层，栅极并与一电阻相连接，该电阻与恒压源相连接；两电极平行于栅极在栅极两侧，位于碳纳米管之上或之下，其第二电极还带有一条方向与栅极垂直的一段，该段与栅极相接触，其中第一电极接地，第二电极与开关相连接，同时栅极与第二电极在衬底上短路相连；一根碳纳米管垂直于栅极和两个独立的电极，平直放置在SiO₂绝缘层的表面上，并与Al₂O₃绝缘层表面和电极表面相接触。该存储器容量为1bit的信息存储，且结构简单，易于制作和集成。