专利详情

专利名称	可在室温下工作的具有高集成度的单电子存储器
申请号	CN02240126.1	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN2566464	公开（授权）日	2003.08.13
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	孙劲鹏;王太宏
主分类号	H01L27/04	IPC主分类号	H01L27/04;H01L27/10
专利有效期	可在室温下工作的具有高集成度的单电子存储器至可在室温下工作的具有高集成度的单电子存储器	法律状态	授权
说明书摘要	本实用新型涉及具有高集成度的单电子存储器，包括：以硅作为衬底，其表面氧化形成二氧化硅绝缘层，在其上设置栅极、电极和数据线引脚；其中两个电极、一个栅极和数据线引脚，是由位于二氧化硅绝缘层上的导电层形成的；两个电极具有间距；一碳纳米管在两个电极之上，与两个电极欧姆接触；栅极位于两个电极的一侧；并在衬底的另一边设置数据线引脚；另一根碳纳米管在栅极和数据线引脚之上，并与两者欧姆接触；碳纳米管上有两个隧穿结，二者之间形成碳纳米管上的一个量子点。该方法制备出的量子点可以在室温下出现库仑阻塞现象，因此器件可在室温下工作，通过测量碳纳米管晶体管的电流可以实现存储器数据的读出。