可在室温下工作的单电子存储器
- 申请号:CN02240127.X
- 专利类型:实用新型
- 申请(专利权)人:中国科学院物理研究所
- 公开(公开)号:CN2562370
- 公开(公开)日:2003.07.23
- 法律状态:授权
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专利详情
专利名称 | 可在室温下工作的单电子存储器 | ||
申请号 | CN02240127.X | 专利类型 | 实用新型 |
公开(公告)号 | CN2562370 | 公开(授权)日 | 2003.07.23 |
申请(专利权)人 | 中国科学院物理研究所 | 发明(设计)人 | 孙劲鹏;王太宏 |
主分类号 | H01L27/04 | IPC主分类号 | H01L27/04;H01L27/10 |
专利有效期 | 可在室温下工作的单电子存储器 至可在室温下工作的单电子存储器 | 法律状态 | 授权 |
说明书摘要 | 本实用新型涉及一种可在室温下工作的单电子 存储器,该器件包括:硅衬底,其表面是一层二氧化硅绝缘层, 在其上制备出具有分裂栅结构的场效应晶体管和电极;还包括 具有量子点结构的单壁碳纳米管;所述的场效应晶体管的分裂 栅由一个中心栅和位于中心栅两侧,平行排列的两个外栅组 成,并且由位于二氧化硅绝缘层之上的导电材料层形成;在外 栅和中心栅下方对应的硅衬底中,通过掺杂形成p型导电沟道, 导电沟道两侧是经重掺杂分别形成的一个n型的源极和一个漏 极;所述的电极与分裂栅方向垂直设置;碳纳米管的两端分别 与中心栅和电极相接触。它具有分裂栅结构,降低了工作时需 要的电子数目,本实用新型单电子存储器可以在室温下实现信 息低功耗超高密度存储。 |
交易流程
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专利 -
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