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面发射大功率半导体激光变频装置

  • 申请号:CN02237689.5
  • 专利类型:实用新型
  • 申请(专利权)人:中国科学院物理研究所
  • 公开(公开)号:CN2559136
  • 公开(公开)日:2003.07.02
  • 法律状态:授权
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 面发射大功率半导体激光变频装置
申请号 CN02237689.5 专利类型 实用新型
公开(公告)号 CN2559136 公开(授权)日 2003.07.02
申请(专利权)人 中国科学院物理研究所 发明(设计)人 许祖彦;姚爱云;林学春;崔大复;李瑞宁;冯衍;毕勇;汪家升;张鸿博
主分类号 H01S5/00 IPC主分类号 H01S5/00
专利有效期 面发射大功率半导体激光变频装置 至面发射大功率半导体激光变频装置 法律状态 授权
说明书摘要 本实用新型涉及一种面发射大功率半导体激光 变频装置,该装置包括电源、泵源、激光晶体和由腔镜组成的 谐振腔;其中泵源放在谐振腔中,激光晶体安置在泵源与作为 输出光用的腔镜之间,电源与泵源电连接;其特征是:所述的 泵源是一由电源泵浦的量子阱半导体激光器芯片列阵,该量子 阱半导体激光器芯片列阵的外侧镀有在泵源输出的波段高反 的膜作为谐振腔的另一块腔镜。该装置采用量子阱半导体激光 器芯片列阵泵浦光学晶体,产生新的激光振荡或进行频率变 换,克服了传统半导体激光器倍频效率低、输出激光功率小的 缺点,并且结构简单,可实现高效、高功率、高光束质量的激 光输出。

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