专利详情

专利名称	隧道效应磁电阻器件
申请号	CN02235853.6	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN2556792	公开（授权）日	2003.06.18
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	赵柏儒;蔡纯;龚伟志;许波;张福昌
主分类号	H01L43/08	IPC主分类号	H01L43/08
专利有效期	隧道效应磁电阻器件至隧道效应磁电阻器件	法律状态	授权
说明书摘要	本实用新型涉及一种隧道效应磁电阻器件。它包括一衬底，其上有一底电极层、势垒层和一顶电极层，势垒层位于底电极层之上和顶电极层之下；一位于衬底之上底电极层之下的反铁磁性的钙钛矿型锰氧化合物的钉扎层；底电极层呈条状，两端是引线引出端；底电极层之上是呈方块状的势垒层和顶电极层，顶电极层的顶部是引线引出端；在势垒层和顶电极层的周围是SiO₂隔离层；从底电极层和顶电极层的引线引出端各引出一根或各引出两根导线。借助于隧道效应，电流穿过绝缘的势垒层，从一电极层流向另一电极层，并表现出磁电阻效应，在600 Oe的磁场范围内隧道结的电阻变化率达到28％。由于钉扎层的引入，器件对外磁场的响应特性和稳定性得以明显改善。