专利详情

专利名称	硫系化合物相变材料抛光后清洗液
申请号	CN201010281508.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101935596A	公开（授权）日	2011.01.05
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	王良咏;宋志棠;刘卫丽;刘波;钟旻;封松林
主分类号	C11D1/86(2006.01)I	IPC主分类号	C11D1/86(2006.01)I;C11D1/62(2006.01)I;C11D1/72(2006.01)I;C11D1/04(2006.01)I;C11D3/04(2006.01)I;C11D3/28(2006.01)I;C11D3/60(2006.01)I
专利有效期	硫系化合物相变材料抛光后清洗液至硫系化合物相变材料抛光后清洗液	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种相变材料抛光后清洗液，包括至少两种氧化剂、表面活性剂、金属防腐抑制剂、酸性介质和去离子水；以清洗液总重量为基准，上述组分的重量百分比为：氧化剂总量0.01-10wt％，表面活性剂0.01-4wt％，金属防腐抑制剂0.0001-20wt％，酸性介质0.2-30wt％，余量为去离子水。本发明提供的抛光后清洗液，通过采用两种以上氧化剂的协同作用，大大提高了硫系化合物相变材料GexSbyTe(1-x-y)的抛光后清洗效率，其残留去除速率大大提高，可达9-70nm/min。