专利详情

专利名称	绝缘栅双极晶体管终端及其制作方法
申请号	CN201110175527.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102856352A	公开（授权）日	2013.01.02
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	朱阳军;田晓丽;卢烁今;吴振兴
主分类号	H01L29/06(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/06(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I
专利有效期	绝缘栅双极晶体管终端及其制作方法至绝缘栅双极晶体管终端及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明实施例公开了一种绝缘栅双极晶体管终端及其制作方法。该所述终端保护结构包括：漂移区；位于漂移区内的终端保护结构；其中，所述终端保护结构包括：主结、截止环及位于所述主结与截止环之间的分压沟槽。本发明所提供的绝缘栅双极晶体管终端，在主结与截止环之间设置有分压沟槽，所述分压沟槽截断主结曲面的结弯曲，消除电场集中，提高击穿电压。同时由于分压沟槽以沟槽的形式存在于漂移区内，因此，这种结构相比场限环结构来说，可大大减小终端保护结构的面积，进而可减小芯片的总面积，降低芯片的制造成本。