专利详情

专利名称	沟槽栅型绝缘栅双极晶体管及其制作方法
申请号	CN201110168499.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102842604A	公开（授权）日	2012.12.26
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	赵佳;朱阳军;卢烁今;孙宝刚;左小珍
主分类号	H01L29/423(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/423(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I
专利有效期	沟槽栅型绝缘栅双极晶体管及其制作方法至沟槽栅型绝缘栅双极晶体管及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明实施例公开了一种沟槽栅型绝缘栅双极晶体管及其制作方法。所述沟槽栅型绝缘栅双极晶体管包括：漂移区；位于漂移区正面内的有效基区；位于漂移区正面内、有效基区两侧的沟槽栅；其中，所述沟槽栅包括：与有效基区相邻的有效沟槽栅和远离有效基区的无效沟槽栅。本发明所提供的沟槽栅型绝缘栅双极晶体管，通过增加其内沟槽栅的个数，进而增加了沟槽栅的总宽度，减小了有效基区宽度与单个元胞宽度之比，从而使得漂移区内的空穴浓度提高，最终导致电导调制效应增强，因此，可降低器件的导通电阻。再有，该沟槽栅型绝缘栅双极晶体管，还能减小电流密度，提高器件的短路安全工作区。