专利详情

专利名称	一种氮化镓基场效应管及其制作方法
申请号	CN200610127867.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101150144	公开（授权）日	2008.03.26
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘新宇;刘果果;郑英奎;李诚瞻;刘键
主分类号	H01L29/772(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/772(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I
专利有效期	一种氮化镓基场效应管及其制作方法至一种氮化镓基场效应管及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种GaN基场效应管，该GaN基场效应管包括：栅极，位于栅极两侧的源极和漏极；其中，栅极、源极和漏极位于衬底材料顶层 AlGaN外延层上，源极与AlGaN外延层以及漏极与AlGaN外延层之间通过退火合金形成欧姆接触；在源极和漏极之间的AlGaN外延层上通过刻蚀形成有细的栅槽，在源极和漏极之间的AlGaN外延层及栅槽上淀积有 AlN或Al₂O₃薄膜，所述栅极通过光刻和蒸发形成在栅槽上淀积的AlN或 Al₂O₃薄膜上。本发明同时公开了一种GaN基场效应管的制作方法。利用本发明，有效地解决了AlGaN表面态存在导致器件产生电流崩塌以及栅反向漏电增大的问题。