专利详情

专利名称	调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法
申请号	CN201110115383.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102185052A	公开（授权）日	2011.09.14
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	马平;王军喜;王国宏;曾一平;李晋闽
主分类号	H01L33/00(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/00(2010.01)I
专利有效期	调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法至调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法，其包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上依次制作一氮化镓成核层和一氮化镓缓冲层；步骤3：在氮化镓缓冲层上制作一n型氮化镓接触层，以硅烷作为n型掺杂剂；步骤4：在n型接触层上未刻蚀的上表面依次制作一n型电流扩展层、一活性发光层、一p型电子阻挡层和一p型接触层；步骤5：采用刻蚀的方法，在该p型接触层上面的一侧向下刻蚀，刻蚀深度到达n型氮化镓接触层中，使该n型氮化镓接触层的一侧形成一台面；步骤6：在n型接触层的台面上制作负电极；在p型接触层的上面制作正电极，完成氮化镓系发光二极管的制作。