专利详情

专利名称	一种基于单体原位聚合的均相阴离子交换膜及其制备方法
申请号	CN201110057825.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102179186A	公开（授权）日	2011.09.14
申请（专利权）人	中国科学技术大学	发明（设计）人	徐铜文;林小城;吴亮
主分类号	B01D71/28(2006.01)I	IPC主分类号	B01D71/28(2006.01)I;B01D67/00(2006.01)I;B01D69/10(2006.01)I;B01J41/12(2006.01)I;C08F212/14(2006.01)I;C08F212/36(2006.01)I;C08F2/44(2006.01)I;C08J7/12(2006.01)I;C08J5/22(2006.01)I
专利有效期	一种基于单体原位聚合的均相阴离子交换膜及其制备方法至一种基于单体原位聚合的均相阴离子交换膜及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种基于单体原位聚合的均相阴离子交换膜及其制备方法，特征是在每4ml氯甲基苯乙烯单体中加入0.08-0.80ml二乙烯基苯，再加入0.5-2g酚酞基聚醚酮和0.04-0.20g过氧化二苯甲酰或偶氮二异丁腈，混合均匀形成铸膜液，均匀涂覆在增强织物上，在70-130℃加热6-48小时原位聚合；将得到的基膜浸泡在质量分数为10-40％的三甲胺水溶液中季铵化反应6-48h，洗涤，干燥；所得阴离子交换膜的离子交换含量高、OH-电导率高，膜相均匀、膜结构稳定，机械强度高、耐热性强，可系列开发满足膜在不同领域的需要。本发明方法避免了有害溶剂的使用，生产简便，成本低，是一种绿色经济的生产工艺。