专利详情

专利名称	一种电子束对准标记的制作方法及其应用
申请号	CN200610127868.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101149563	公开（授权）日	2008.03.26
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘果果;和致经;魏珂;刘新宇;郑英奎
主分类号	G03F7/20(2006.01)I	IPC主分类号	G03F7/20(2006.01)I;G03F9/00(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01J37/304(2006.01)I
专利有效期	一种电子束对准标记的制作方法及其应用至一种电子束对准标记的制作方法及其应用	法律状态	授权
说明书摘要	本发明公开了一种电子束对准标记的制作方法，采用Ti/Pt金属结构作为对准标记的金属结构，对衬底材料采用光刻方法进行光刻，在衬底材料最顶层的铝镓氮外延层形成电子束对准标记。本发明同时公开了一种利用电子束对准标记制作有效栅线条方法，A.对衬底材料采用光刻方法进行光刻，形成电子束对准标记，并蒸发标记金属Ti/Pt；B.对衬底材料采用光刻方法进行光刻，形成源漏图形，并蒸发源漏金属；C.退火合金，形成良好的欧姆接触；D.有源区离子注入隔离；E.电子束光刻，完成栅线条曝光；F.蒸发栅金属，形成有效栅线条。利用本发明，有效解决了高温退火后对准标记金属形貌发生变化而导致电子束曝光机无法准确辨认对准标记的问题。