专利详情

专利名称	基于NPN结构的激光光伏电池及其制备工艺
申请号	CN201110083015.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102184999A	公开（授权）日	2011.09.14
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	赵春雨;董建荣;陆书龙;李奎龙;赵勇明;季莲;杨辉
主分类号	H01L31/068(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/068(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	基于NPN结构的激光光伏电池及其制备工艺至基于NPN结构的激光光伏电池及其制备工艺	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种基于NPN结构的激光光伏电池及其制备工艺。该光伏电池包括依次生长在半绝缘GaAs衬底上的N型GaAs导电层、隧穿结和GaAs电池，所述GaAs电池包括沿逐渐远离衬底的方向依次分布的P/N结和N型窗口层。其制备工艺为：以外延生长方法在半绝缘衬底上依次生长N型导电层、隧穿结、P/N结、N型窗口层及N型接触层形成光伏电池基体，其后在该光伏电池基体上加工形成隔离槽、正电极、负电极、减反射层以及电极引线，制得目标产物。本发明光伏电池的串联电阻低，输出电压高，光吸收及转换效率高，可作为高效激光光伏电池广泛应用，且其制备工艺简便，可有效节省器件加工时间和降低成本，满足规模化生产的需求。