专利详情

专利名称	基于Plasmon增强的量子阱红外探测器及其制备方法
申请号	CN201110080969.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102185002A	公开（授权）日	2011.09.14
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	李海军;刘冬;杨乐臣;付凯;王逸群
主分类号	H01L31/101(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/101(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	基于Plasmon增强的量子阱红外探测器及其制备方法至基于Plasmon增强的量子阱红外探测器及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了基于Plasmon增强的量子阱红外探测器及其制备方法，其包括：一SI-GaAs衬底；一位于所述衬底上的AlAs缓冲层；一位于所述缓冲层上的AlAs:Si下接触层；一位于所述下接触层上的多量子阱层；一位于所述多量子阱层上的AlAs:Si上接触层；一位于所述上接触层上的金属薄膜和上电极，所述的金属薄膜具有光栅结构，所述的上电极镶嵌于金属光栅中；一位于所述下接触层上并环绕整个所述的金属薄膜、上接触层和多量子阱层的环形下电极。本发明公开的探测器利用Plasmon的局域特性和光栅的选频特性，实现了信号的增强和滤波，提高了量子阱的吸收效率，增强了量子阱红外探测器的灵敏度。