专利详情

专利名称	一种砷化镓PIN二极管及其制作方法
申请号	CN200610112885.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101140955	公开（授权）日	2008.03.12
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	杨浩;张海英;吴茹菲
主分类号	H01L29/868(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/868(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I
专利有效期	一种砷化镓PIN二极管及其制作方法至一种砷化镓PIN二极管及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种GaAs PIN二极管，该GaAs PIN二极管包括：用于支撑整个GaAs PIN二极管的半绝缘GaAs衬底；在半绝缘GaAs衬底上外延生长的高掺杂N⁺层，在高掺杂N⁺层上依次外延生长的接近本征的高阻 I层和P⁺层；通过采用湿法刻蚀，所述高掺杂N⁺层、高阻I层和P⁺层的面积依次减小形成台面结构；在P⁺层上蒸发金属形成的圆形结构上电极；在 N⁺层上蒸发金属形成的半环形结构下电极。本发明同时公开了一种GaAs PIN二极管的制作方法。利用本发明，不增加工艺难度的前提下有效降低了PIN二极管的寄生电容，同时，连接上电极的微带线大大缩短，由其引入的寄生电感可以大幅减小，甚至可以忽略，无需使用空气桥工艺，制作简便，能够获得更好的高频特性，且易于实现单片集成。