专利详情

专利名称	氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法
申请号	CN200610112889.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101140947	公开（授权）日	2008.03.12
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	马志勇;王晓亮;冉军学;胡国新;肖红领;王翠梅;罗卫军
主分类号	H01L29/778(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I
专利有效期	氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法至氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明一种氮化镓基异质结场效应晶体管结构，其中包括：一衬底；一低温氮化镓成核层，该低温氮化镓成核层制作在衬底的上面；一非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层制作在低温氮化镓成核层的上面；一非有意掺杂高迁移率氮化镓层，该非有意掺杂高迁移率氮化镓层制作在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层的上面；一氮化铝插入层，该氮化铝插入层制作在非有意掺杂高迁移率氮化镓层的上面；一非有意掺杂或n型掺杂组分阶变Al_xIn_yGa_zN层，该组分阶变Al_xIn_yGa_zN层制作在氮化铝插入层的上面。