专利详情

专利名称	一种非制冷红外焦平面阵列探测器及其制作方法
申请号	CN200610112884.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101140185	公开（授权）日	2008.03.12
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	陈大鹏;叶甜春;欧毅;董立军;刘辉;胥兴才;韩敬东;李超波;焦彬彬;黄庆文;石莎莉;伍小平;张青川;董凤良;熊慎明
主分类号	G01J5/10(2006.01)I	IPC主分类号	G01J5/10(2006.01)I;G01J5/20(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I
专利有效期	一种非制冷红外焦平面阵列探测器及其制作方法至一种非制冷红外焦平面阵列探测器及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种非制冷红外焦平面阵列探测器，包括：由双层氮化硅SiN_x薄膜分别形成的支撑结构和微反射镜结构，支撑结构同时也作为红外辐射吸收层，用于吸收红外辐射；微反射镜结构用于与支撑结构形成红外吸收共振腔，吸收红外辐射，提高支撑结构对于红外辐射的吸收效率，同时还作为光学读出的反射镜；所述支撑结构和微反射镜结构通过SiN_x 材料连接。本发明同时公开了一种非制冷红外焦平面阵列探测器的制作方法。利用本发明，由于支撑结构同时充当红外辐射吸收层，微反射镜结构背面金属可以反射红外辐射，所以大大提高支撑膜对于红外辐射的吸收效率和填充因子。另外，本发明还提高了系统探测极限灵敏度。