专利详情

专利名称	宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法
申请号	CN200610127920.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101136432	公开（授权）日	2008.03.05
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	王晓亮;马志勇;胡国新;肖红领;冉军学;王翠梅;罗卫军
主分类号	H01L29/778(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I
专利有效期	宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法至宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构，包括：一衬底；一高温氮化铝成核层，该高温氮化铝成核层制作在衬底的上面；一铝(铟)镓氮超晶格缓冲层，该铝(铟)镓氮超晶格缓冲层制作在高温氮化铝成核层的上面；一非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层制作在铝 (铟)镓氮超晶格缓冲层的上面；一非有意掺杂高迁移率氮化镓层，该非有意掺杂高迁移率氮化镓层制作在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层的上面；一氮化铝插入层，该氮化铝插入层制作在非有意掺杂高迁移率氮化镓层的上面；一非有意掺杂或n 型掺杂铝(铟)镓氮层，该铝(铟)镓氮层制作在氮化铝插入层的上面。