专利详情

专利名称	硅基衬底碲镉汞液相外延的生长方法及专用石墨舟
申请号	CN200710039950.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101136340	公开（授权）日	2008.03.05
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	徐庆庆;魏彦锋;陈新强;赵守仁;杨建荣
主分类号	H01L21/368(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/368(2006.01)I
专利有效期	硅基衬底碲镉汞液相外延的生长方法及专用石墨舟至硅基衬底碲镉汞液相外延的生长方法及专用石墨舟	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种硅基衬底碲镉汞液相外延的生长方法，该方法的特征在于：先在Si/CdTe复合衬底外生长一层SiO₂覆盖层，然后采用恒速降温和分步冷却相结合的方式生长HgCdTe外延薄膜。其有益效果在于：SiO₂覆盖层能够很好的起到保护衬底表面不被粘污，同时还能起到隔绝Si与熔融母液的接触。生长方法的改进一方面可以避免很薄的缓冲层发生回熔，另一方面也减少了生长母液与 Si/CdTe衬底接触的时间，有效地控制Si溶解，满足了红外焦平面器件要求的具有一定性能的长波HgCdTe材料。