专利详情

专利名称	一种制备低栅扩展电容绝缘体上硅体接触器件的方法
申请号	CN200610112701.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101136337	公开（授权）日	2008.03.05
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	毕津顺;海潮和
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I
专利有效期	一种制备低栅扩展电容绝缘体上硅体接触器件的方法至一种制备低栅扩展电容绝缘体上硅体接触器件的方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明公开了一种制备低栅扩展电容SOI体接触器件的方法，包括： A.在SOI顶层硅上生长并剥离一层牺牲氧化层，进行N场注入和P场注入，对得到的器件进行电学隔离；B.在电学隔离后的器件表面热生长一层二氧化硅，注入杂质，穿透热生长的二氧化硅层，调节阈值电压；C. 在热生长的二氧化硅层上化学气相淀积一层二氧化硅，增加一层栅扩展光刻版，以光刻胶为掩膜，对热生长及淀积的二氧化硅进行刻蚀；D.去胶，然后低温热生长一层高质量栅氧化层，化学气相淀积一层多晶硅，对淀积的多晶硅进行离子注入；E.退火，利用栅版光刻版对多晶硅进行刻蚀并去胶。利用本发明，减小了SOI体接触器件的栅扩展电容，提高了电路的工作速度，降低了电路的功耗。