专利详情

专利名称	一种p型含铜硫透明导体薄膜的制备方法
申请号	CN200710038809.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101135040	公开（授权）日	2008.03.05
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	黄富强;刘敏玲;陈立东
主分类号	C23C14/28(2006.01)I	IPC主分类号	C23C14/28(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;B22F3/16(2006.01)I;C23C14/56(2006.01)I
专利有效期	一种p型含铜硫透明导体薄膜的制备方法至一种p型含铜硫透明导体薄膜的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明采用脉冲激光沉积(Pulse Laser Deposition PLD)制备p型黄铜矿结构化合物CuAlS₂及掺杂透明导电薄膜。本发明采用石英玻璃、普通玻璃或Si片作为衬底，固相反应与SPS烧结或固相反应与无压烧结得到的化合物块体作为靶材，在适当的气氛压强，衬底温度，激光强度与频率下，通过PLD法制备出CuAlS₂或掺杂薄膜。所制备的薄膜具有p型导电性，且同时具有高的电导率与高的可见光透光率等优良的光电性能。本发明获得的p 型CuAlS₂薄膜在透明电子学和新型光电器件领域具有广泛的应用前景。