专利详情

专利名称	一种测量晶体硅体少子寿命的化学钝化方法
申请号	CN200710177556.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101162694	公开（授权）日	2008.04.16
申请（专利权）人	中国科学院电工研究所	发明（设计）人	周春兰;王文静;唐煜;李海玲
主分类号	H01L21/314(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/314(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I;G01R31/26(2006.01)I
专利有效期	一种测量晶体硅体少子寿命的化学钝化方法至一种测量晶体硅体少子寿命的化学钝化方法	法律状态	专利申请权、专利权的转移
说明书摘要	一种测量晶体硅少子寿命的化学钝化方法，将经过去损伤层处理后的硅片在常温下用去离子水稀释39％或49％的高浓度氟化氢溶液漂洗，去除硅片表面的自然氧化物，将硅片放入透明的，耐氟化氢HF，对电信号无干扰的塑料袋中，然后在晶体硅前后表面滴几滴浓度39％或49％的氟化氢HF溶液，再在塑料袋外面将硅片上的氟化氢(HF)溶液均匀抹平，使表面的氟化氢溶液的厚度低于1mm；去除在硅片上残留的气泡。用塑料封口机对塑料袋密封后，将塑料袋放入测试设备的样品台中进行测试。本发明仅可以达到对硅片表面均匀的钝化效果，使表面复合速度降低到100cm/s以下。而且成本低，易操作，测量不费时，尤其适用于太阳电池生产和研究单位对硅片原材料的检测和分析。